-
1 Entdämpfungs-Grenz-frequenz der Tunneldiode
предельная резистивная частота туннельного диода
fR
Fr
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Entdämpfungs-Grenz-frequenz der Tunneldiode
-
2 Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode
73. Предельная резистивная частота туннельного диода
D. Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode
E. Resistive cut-off frequency
F. Fréquence de coupure résistive
fR
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode
См. также в других словарях:
ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 25529 82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона D. Zeitliche Instabilitat der Z Spannung der Z… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
предельная резистивная частота туннельного диода — fR Fr Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль. [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины туннельные диоды EN resistive cut off… … Справочник технического переводчика
Предельная резистивная частота туннельного диода — 73. Предельная резистивная частота туннельного диода D. Entdämpfungs Grenzfrequenz der Tunneldiode E. Resistive cut off frequency F. Fréquence de coupure résistive fR Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Si/SiGe resonant interband tunnel diode — A Si/SiGe resonant interband tunnel diode (RITD) is a type of resonant interband tunnel diodeswhich is based on Si/SiGe materials.All types of tunnel diodes, including Si/SiGe resonant interband tunnel diodes,make use of the quantum mechanical… … Wikipedia
Zobel network — Linear analog electronic filters Network synthesis filters Butterworth filter Chebyshev filter Elliptic (Cauer) filter Bessel filter Gaussian filter Optimum L (Legendre) filter Linkwitz Riley filter … Wikipedia
Constant k filter — Linear analog electronic filters Network synthesis filters Butterworth filter Chebyshev filter Elliptic (Cauer) filter Bessel filter Gaussian filter Optimum L (Legendre) filter Linkwitz Riley filter … Wikipedia
Composite image filter — Linear analog electronic filters Network synthesis filters Butterworth filter Chebyshev filter Elliptic (Cauer) filter Bessel filter Gaussian filter Optimum L (Legendre) filter Linkwitz Riley filter … Wikipedia
Prototype filter — Prototype filters are electronic filter designs that are used as a template to produce a modified filter design for a particular application. They are an example of a nondimensionalised design from which the desired filter can be scaled or… … Wikipedia
M-derived filter — m type filters or m derived filters are a type of electronic filter designed using the image method. They were invented by Otto Zobel in the early 1920s. This filter type was originally intended for use with telephone multiplexing and was an… … Wikipedia
mm'-type filter — Linear analog electronic filters Network synthesis filters Butterworth filter Chebyshev filter Elliptic (Cauer) filter Bessel filter Gaussian filter Optimum L (Legendre) filter Linkwitz Riley filter … Wikipedia
Otto Julius Zobel — Born October 20, 1887(1887 10 20) Ripon, Wisconsin Died January 1970 (age 82) Morristown, New Jersey … Wikipedia
